矽 (Si)
原子序數 | 14 | 英文名 | Silicon |
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所屬分類 | 类金属 | 原子量 | 28.085 u |
熔點 | 1414 °C | 沸點 | 2900 °C |
能級 | 2, 8, 4 | 電負性 | 1.90 |
電子親和能 | 133.6 kJ/mol | 半徑(計算法) | 111 pm |
電離能 |
第1电离能: 786.5 kJ/mol
第2电离能: 1577.1 kJ/mol
第3电离能: 3231.6 kJ/mol
第4电离能: 4355.5 kJ/mol
第5电离能: 16091 kJ/mol
第6电离能: 19805 kJ/mol
第7电离能: 23780 kJ/mol
第8电离能: 29287 kJ/mol
第9电离能: 33878 kJ/mol
第10电离能: 38726 kJ/mol
第11电离能: 45962 kJ/mol
第12电离能: 50502 kJ/mol
第13电离能: 235196 kJ/mol
第14电离能: 257923 kJ/mol
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密度(常規) | 2330 kg/m³ | 硬度(布式) | N/A |
體積模量 | 100 GPa | 導熱率 | 150 W/mK |
宇宙存量百分比 | 0.070 % |
金屬矽作為關鍵的化學原料,具備獨特的物理和化學特性。 從物理角度來看,金屬矽呈現出灰白色固態形態,帶有金屬光澤,不僅具有良好電導性能,同時具備出色的熱傳導能力。 在化學性質上,金屬矽能與氧氣反應生成二氧化矽,並且能夠與諸如鹵素和酸類的非金屬元素進行反應。 在實際應用上,金屬矽在多個工業領域中發揮著不可或缺的作用。 在冶金工業中,金屬矽被廣泛引入到鑄鐵和鋼鐵的生產流程中,以增強製品的耐腐蝕性和機械強度。 同時,在光電子產業,尤其是太陽能電池製造業中,金屬矽作為核心原料用於製造高效的太陽能板。 而在半導體工業中,金屬矽是構成半導體材料的核心組成部分,被廣泛應用於積體電路、電晶體等各種電子元件的生產。 金屬矽的製備製程主要包括煉矽法和電解法兩種途徑。 煉矽法是透過高溫還原二氧化矽與碳之間的反應來獲取金屬矽,儘管這種方法耗能較高,但其規模化生產能力較強。 相較之下,電解法則利用電解氣態矽氟化物的方式還原得到金屬矽,此法雖相對節能,但對製程技術和環境條件的要求更為嚴苛。 在安全使用金屬矽的過程中,須知其本身雖無毒性,但在加工時產生的矽粉塵對呼吸系統有刺激風險,故作業人員應當穿戴合適的防護裝備,例如口罩、手套以及護目鏡等。 此外,鑑於金屬矽暴露在空氣中會與氧反應生成可燃性氣體,因此在儲存和運輸過程中務必確保遠離火源及氧化劑,以防意外事故的發生。
標準原子質量 | 28.085(1) |
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電子排布 | [Ne] 3s2 3p2 2, 8, 4 |
預測 | 安托萬-洛朗·德·拉瓦節(1787年) |
發現 | 永斯·貝采利烏斯(1823年) |
分離 | 永斯·貝采利烏斯(1823年) |
命名 | 托馬斯·湯姆森(1817年) |
物態 | 固體 |
密度 | (接近室溫) 2.3290 g·cm−3 |
熔化熱 | 50.21 kJ·mol−1 |
汽化熱 | 359 kJ·mol−1 |
比熱容 | 19.789 J·mol−1·K−1 |
氧化態 | 4, 3, 2, 1 -1, -2, -3, -4 (兩性氧化物) |
電負性 | 1.90(鮑林標度) |
原子半徑 | 111 pm |
共價半徑 | 111 pm |
范德華半徑 | 210 pm |
晶體結構 | 鑽石 |
磁序 | 反磁性 |
電阻率 | (20 °C)103 Ω·m |
膨脹系數 | (25 °C)2.6 µm·m−1·K−1 |
聲速(細棒) | (20 °C)8433 m·s−1 |
楊氏模量 | 130-188 GPa |
剪切模量 | 51-80 GPa |
體積模量 | 97.6 GPa |
泊松比 | 0.064 - 0.28 |
莫氏硬度 | 7 |
帶隙能量(300 K) | 1.12 eV |
元素清單
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